中芯国际技术差距犹存

标签：金利丰证券

文章日期：2025年9月22日

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中芯国际（981）上半年收入44.56亿美元，同比增长22%；毛利率提升至21.4%，同比增加7.6个百分点；运营利润率为10.5%，同比上升4个百分点；息税折旧及摊销前利润（EBITDA）利润率为54.3%，同比微升1.1个百分点，增长主要得益于晶圆销售量增加、平均售价上涨以及产品组合优化，晶圆代工业务收入同比增长24.6%。

虽然研发投入占收入比例降至7.4%，同比减少2.7个百分点，但公司产能扩张稳步推进，上半年新增近2万片12英寸标准逻辑月产能，总体产能利用率维持行业领先水平。经营活动所得现金净额同比增长85.8%至9.09亿美元。期内，消费电子及汽车电子市场复苏，智能手机换机周期启动，带动晶圆需求回流内地。

公司虽为内地晶圆代工龙头，若将中芯国际与台积电比较，其技术水平仍难以匹敌。NVIDIA作为人工智能芯片设计领军企业，主要依赖台积电（TSMC）的3纳米先进工艺生产Blackwell架构图形处理器（GPU），性能遥遥领先。

中芯国际目前主力7纳米及5纳米工艺，虽然上半年28纳米超低漏电平台、40纳米嵌入式快闪存及65纳米射频平台等项目进展顺利，已发布工艺设计套件（PDK）并导入客户验证，但整体技术差距明显。报告显示，公司拥有16,197项专利，其中11,011项已获授权，知识产权体系健全，但先进制程仍需依赖多重图案化技术，导致成本高企，难以匹配NVIDIA的生态优势。

若中美科技竞争加剧，中芯国际市场份额可能受压，投资者需警惕相关风险。产品良率是中芯国际面临的关键挑战，其7纳米工艺良率约为30%-50%，远低于行业90%的基准水平；5纳米良率仅为台积电的三分之一，估计约30%；人工智能GPU良率预计至2025年底仅达30%。低良率导致单位成本上升50%以上，影响盈利能力。

虽然公司通过工艺优化及供应链管理，提升风险量产阶段效率，但设备维护及验证问题令第二季度收入减少6%。未来若良率无法显著改善，将削弱公司在人工智能及汽车芯片领域的竞争力。光刻机技术差异更是核心瓶颈。

中芯国际主要采用深紫外光（DUV）设备，如ASML的TWINSCAN NXT系列，通过多重曝光及自对准四重图案化（SAQP）技术勉强实现5纳米，但效率低下、成本高昂。相较之下，荷兰ASML的极紫外光（EUV）系统为先进工艺主流，波长更短、分辨率更高，适用于3纳米以下大规模生产。

美国出口管制禁止ASML向中芯国际销售EUV，迫使公司转向内地DUV工具测试，如上海微电子的浸没式机台，性能落后ASML。用户所述内容准确：中芯国际仅使用DUV，ASML则采用EUV，两者技术阶段确实不同。DUV适用于成熟制程，而EUV主导先进领域。内地EUV研发虽有进展，但预计2025年第三季度试产、2026年量产。这差距令中芯国际在高端市场挣扎，供应链依赖度高。

展望2025年下半年，中芯国际面临美国关税及地缘政治风险，但人工智能及汽车需求复苏构成利好。公司计划扩大产能、深化产业生态，加强产学研合作，目标全年收入同比增长20%以上。风险包括人才流失、资金压力及竞争加剧，但国际化布局及质量体系（ISO认证齐全）提供支撑。

技术上，股价七月尾突破长方形通道，持续一浪高于一浪上升，昨日再创收市新高，多项指标呈现超买，现水平不建议高追，除非股价回落至接近20天平均线，约62元水平才作考虑。